Gemeinsam mit Prof. Henning Sirringhaus und seinen Kolleginnen und Kollegen an der Universität Cambridge haben wir den Einfluss von Elektronenspins auf den elektrischen Transport in Feldeffekttransistoren (FETs) auf der Basis organischer Halbleiter untersucht. Mittels Elektrisch Detektierter Magnetischer Resonanz (EDMR) -Messungen an ambipolaren FETs konnten wir zeigen, dass in unterschiedlichen Transportregimen verschiedene spinabhängige Prozesse den Ladungstransport beeinflussen. Die Ergebnisse unserer Untersuchungen werden in Kürze in der Fachzeitschrift Physical Review Letters erscheinen.