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Konformationsänderungen von Einzelmolekülen an Halbleiteroberflächen induziert durch inelastische Tunnelprozesse

Mittels Tieftemperatur-STM werden die Anregung und die reversible Zustandsänderung von Molekülen auf Halbleiteroberflächen untersucht, die durch inelastischen Ladungstransport im Tunnelkontakt induziert werden. Dabei sollen modellmäßige Funktionalitäten wie das Schalten der Tunnelleitfähigkeit oder die Emission von Licht durch strahlende Desaktivierung realisiert werden. Um den Schritt vom Einzelmolekül zum Ensemble zu vollziehen, sollen Moleküle auf passivierten Oberflächen lateral manipuliert, zu molekularen Nanostrukturen zusammengesetzt und bezüglich ihrer kollektiven Anregungsdynamik untersucht werden.

 

Paul-Drude-Institut für Festkörperphysik - Microstructure Department